SE3401B - аналоги и даташиты транзистора

 

SE3401B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SE3401B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SE3401B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE3401B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  cn sino-ic
 se3401b.pdf pdf_icon

SE3401B

SHANGHAI Jan 2015 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE3401B-2.8A,-20V P-Channel MOSFET Revision:A General Description Features ID =-2.8AThe MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) =-20V the best combination of fast switching, low RDS(ON)

 8.1. Size:454K  willas
 se3401.pdf pdf_icon

SE3401B

FM120-MWILLASTHRUSE340 SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSFM1200-M1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProduPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to optimize bo

 8.2. Size:1480K  leiditech
 se3401.pdf pdf_icon

SE3401B

SE3401P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Product Summary V -30V DS I -4.4A D R ( at V =-10V) 55 mohm DS(ON) GS R ( at V =-4.5V) 68 mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 96 mohm DS(ON) GSGeneral Description Trench Power LV MOSFET technology High density cell design for Low R DS(ON) High Speed switching Applications Batt

 8.3. Size:372K  cn sino-ic
 se3401.pdf pdf_icon

SE3401B

SHANGHAI July 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE3401 -4.2A,-30V P-Channel MOSFET Revision:B General Description Features The MOSFETs from SINO-IC provide VDS (V) =-30V the best combination of fast switching, low ID =-4.2A (VGS = -10V) on-resistance and cost-effectiveness. RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SE3082G , SE3090K , SE30P09D , SE30P12 , SE30P12D , SE30P50 , SE30P50B , SE3205A , IRF740 , SE3N150P , SE40120A , SE40150 , SE40160A , SE4020B , SE40300GTS , SE4060 , SE6080S .

 

 
Back to Top

 


 
.