SE4606S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SE4606S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SE4606S Datasheet (PDF)
se4606s.pdf

SE4606S N+P Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision: A General Description Features Advanced trench technology to provide For N-Channel MOSFET excellent RDS(ON), low gate charge and low VDS = 30V operation voltage. This device is suitable for using RDS(ON) =24m @ VGS=10V as a load switch or in PWM applications. RDS(ON) =39m @ VGS=4.5V Low RDS(on)
se4606l.pdf

SHANGHAI June 2006MICROELECTRONICS CO., LTD.SE4606LComplementary Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision:AExternal Dimensions: (Unit:mm)Features n-channel,VDS (V) = 20V ,ID =7ARDS(ON) =20.0m (VGS=4.5V) p-channel,VDS (V) = -18V ,ID =- 5ARDS(ON) =30m (VGS=-4.5V)Applications Power Management in Desktop or DC/DCConvertersConstruction Sili
se4606.pdf

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE4606 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision:A External Dimensions: (Unit:mm) Features n-channel, VDS (V) = 30V ,ID = 8.5A RDS(ON)
se4607.pdf

SE4607Complementary Enhancement Mode Field Effect TransistorRevision: AFeatures PIN CONFIGURATION N-ChannelV =20VDSR =20m @V =4.5V,DS(ON) GS P-ChannelV = -20VDSR =100m @V =-4.5VDS(ON) GSApplications Power Management in Desktop or DC/DCLCD display ConvertersConstructions Silicon epitaxial planerAbsolute Maximum Ratings (TA=25)Parameter
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06
History: SQJ474EP | STP80NE03L-06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897 | 2sa818