SE8830A - описание и поиск аналогов

 

SE8830A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SE8830A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 189 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

Аналог (замена) для SE8830A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SE8830A даташит

 ..1. Size:503K  cn sino-ic
 se8830t se8830a sed8830mp sed8830 sed8830p sed8830n.pdf pdf_icon

SE8830A

SHANGHAI Feb 2013 MICROELECTRONICS CO., LTD. SE8830T/8830A SED8830MP/8830/8830P/SED8830N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Revision A 8830 Series Pin Assignment Features For a single mosfet VDSS = 20 V RDS(ON)

 9.1. Size:395K  cn sino-ic
 se8831a.pdf pdf_icon

SE8830A

Jul 2014 SE8831A Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Revision A General Description Features Thigh Density Cell Design For Ultra Low For a single MOSFET On-Resistance Fully Characterized Avalanche V =20V DS Voltage and Current Improved Shoot-Through R =15.5m @V =4.5V DS(ON) GS FOM Simple Drive Requirement Small Package Outline Surface Mount Device Pin

Другие MOSFET... SE8090G , SE8205A , SE8209 , SE85130GA , SE85210 , SE8810 , SE8810A , SE8830T , BS170 , SED8830MP , SED8830 , SED8830P , SED8830N , SE8831A , SE8841A , SE8N65A , SE9435 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.