APM2301CA - описание и поиск аналогов

 

APM2301CA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APM2301CA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для APM2301CA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2301CA даташит

 ..1. Size:169K  sino
apm2301ca.pdfpdf_icon

APM2301CA

APM2301CA P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-3A D RDS(ON)= 70m (max.) @ VGS= -4.5V S RDS(ON)= 115m (max.) @ VGS= -2.5V G RDS(ON)= 250m (max.) @ VGS= -1.8V Reliable and Rugged Top View of SOT-23 Lead Free and Green Devices Available ( RoHS Compliant) D G Applications Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and

 7.1. Size:695K  cn shikues
apm2301aac.pdfpdf_icon

APM2301CA

APM2301AAC P-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature DS(ON) GS -20V/-3A R = 120m (MAX) @V = -4.5V. DS(ON) GS R = 150m (MAX) @V = -2.5V. DS(ON) Super High dense cell design for extremely low R Reliable and Rugged SC-59 for Surface Mount Package SC-59 Applications Power Management Portable Equipment and Battery Powered Systems. A T =25 U

 7.2. Size:775K  cn vbsemi
apm2301ac.pdfpdf_icon

APM2301CA

APM2301AC www.VBsemi.tw P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFET e - 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested 0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIO

 8.1. Size:497K  sino
apm2304a.pdfpdf_icon

APM2301CA

APM2304A N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/5A, D RDS(ON)= 22m (typ.) @ VGS= 10V S RDS(ON)= 32m (typ.) @ VGS= 4.5V G Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23-3 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Power

Другие MOSFET... SED3081M , SED30P30M , SED4060G , SED4060GM , SED5852 , SED8830A , SED8840 , APM2300CA , IRFZ46N , APM2306A , APM2309A , APM2317A , APM2324AA , APM2360A , SM1A16PUB , SM1A63NHUC , SM3419NHQA .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.