Справочник MOSFET. VS2301BC

 

VS2301BC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS2301BC
   Маркировка: A1SHB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS2301BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  cn vanguard
 vs2301bc.pdf pdf_icon

VS2301BC

VS2301BC -20V/-3A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -20 V P-Channel R DS(on),TYP @VGS=-4.5V 77 m Enhancement mode R DS(on),TYP @VGS=-3.3V 87 m Fast Switching R DS(on),TYP @VGS=-2.5V 103 m Pb-free lead plating; RoHS compliant I D -3 A SOT23 Tape and reel Part ID Package Type Marking information V2301BC SOT23 A1SHB 3000pcs/ree

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SI7674DP | SMOS48N50

 

 
Back to Top

 


 
.