Справочник MOSFET. VSD007N06MS

 

VSD007N06MS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSD007N06MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSD007N06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1027K  cn vanguard
vsd007n06ms.pdfpdf_icon

VSD007N06MS

VSD007N06MS 60V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.0 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.0 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat

 6.1. Size:950K  cn vgsemi
vsd007n04ms-g.pdfpdf_icon

VSD007N06MS

VSD007N04MS-G40V/90A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.3 m Very low on-resistance RDS(on)I D 90 A VitoMOS TechnologyTO-252 Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSD007N04MS-G TO-252 007N04M 2500PCS/ReelMax

 9.1. Size:284K  cn vanguard
vsd004n03ms.pdfpdf_icon

VSD007N06MS

VSD004N03MS 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.2 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.8 m Enhancement mode I D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking infor

 9.2. Size:1017K  cn vgsemi
vsd003n04ms-g.pdfpdf_icon

VSD007N06MS

VSD003N04MS-G40V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 58 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedTO-252 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI9435DY-T1 | SKI04024

 

 
Back to Top

 


 
.