VSD007N06MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VSD007N06MS
Маркировка: 007N06M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 82 nC
trⓘ - Время нарастания: 125 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для VSD007N06MS
VSD007N06MS Datasheet (PDF)
vsd007n06ms.pdf
VSD007N06MS 60V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.0 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 6.0 m Enhancement mode I D 85 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V TO-252 Fast Switching 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Tape and reel informat
vsd007n04ms-g.pdf
VSD007N04MS-G40V/90A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 3.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.3 m Very low on-resistance RDS(on)I D 90 A VitoMOS TechnologyTO-252 Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche testPart ID Package Type Marking PackingVSD007N04MS-G TO-252 007N04M 2500PCS/ReelMax
vsd004n03ms.pdf
VSD004N03MS 30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 VFeatures R DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.2 m N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.8 m Enhancement mode I D 150 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching TO-252 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking infor
vsd003n04ms-g.pdf
VSD003N04MS-G40V/58A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.1 m Low RDS(on) to minimize conduction lossesI D(Wire bond Limited) 58 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedTO-252 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart I
vsd005n03ms.pdf
VSD005N03MS30V/105A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3 m N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 4.4 m Enhancement modeI D 105 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VTO-252 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSD005N03MS TO-252 005
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918