VSO012N06MS - аналоги и даташиты транзистора

 

VSO012N06MS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: VSO012N06MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 205 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для VSO012N06MS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSO012N06MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1173K  cn vanguard
 vso012n06ms.pdf pdf_icon

VSO012N06MS

VSO012N06MS 60V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11.5 m Enhancement mode I D 13 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant MSL: Level 1 compliant Tape and reel Part ID

 9.1. Size:784K  cn vanguard
 vso011n06ms.pdf pdf_icon

VSO012N06MS

VSO011N06MS 60V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 60 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12.8 m Enhancement mode I D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 100% Avalanche test SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID Package Type Marking inform

Другие MOSFET... VSF600N70HS , VSI008N10MS , VSI013N08MS , VSI080N06MS , VSO008N10MS , VSO009N06MS-G , VSO009N06MS-GA , VSO011N06MS , 10N65 , VSO025C03MC , VSP007N07MS , VSP007P06MS , VSP008N10MSC , VSP020P06MS , VST007N07MS , VST012N06MS , VST018N10MS .

History: IRC530PBF | AFP3403 | FQI6N50TU | WMK30N65EM | BUK9E3R7-60E | BL5N135-W | BSS816NW

 

 
Back to Top

 


 
.