Справочник MOSFET. SM420R50CT9RL

 

SM420R50CT9RL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM420R50CT9RL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
   Время нарастания (tr): 10 ns
   Выходная емкость (Cd): 240 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.42 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SM420R50CT9RL

 

 

SM420R50CT9RL Datasheet (PDF)

 5.1. Size:817K  cn sps
sm420r50c.pdf

SM420R50CT9RL SM420R50CT9RL

SM420R50C30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFETDescription ID 11A SM420R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson(Max) 0.42(VGS=10V, ID=5.5A) technology. These user friendly devic

 9.1. Size:410K  huashuo
hsm4204.pdf

SM420R50CT9RL SM420R50CT9RL

HSM4204 Dual N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4204 is the high cell density trenched N-VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 12 m converter applications. The HSM4204 meet the RoHS and Green Product ID 7.5 A requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PNMDP600V4

 

 
Back to Top