SM420R50CT9RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM420R50CT9RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SM420R50CT9RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM420R50CT9RL даташит

 5.1. Size:817K  cn sps
 sm420r50c.pdf pdf_icon

SM420R50CT9RL

SM420R50C 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Super Junction Power MOSFET Description ID 11A SM420R65C is power MOSFET using advanced super junction technology that can realize very low VDSS 650V on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling Rdson(Max) 0.42 (VGS=10V, ID=5.5A) technology. These user friendly devic

 9.1. Size:410K  huashuo
 hsm4204.pdf pdf_icon

SM420R50CT9RL

HSM4204 Dual N-Ch 40V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM4204 is the high cell density trenched N- VDS 40 V ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck RDS(ON),typ 12 m converter applications. The HSM4204 meet the RoHS and Green Product ID 7.5 A requirement, 100% EAS guaranteed with full function rel

Другие IGBT... SM360R65CT2TL, SM360R65CT1TL, SM4012T9RL, SM4132T9RL, SM4146T9RL, SM4184T9RL, SM4186T9RL, SM418T9RL, IRF630, SM420R65CT2TL, SM420R65CT1TL, SM4286T9RL, SM4306PRL, SM4404BPRL, SM4405PRL, SM4410, SM4411