SM6442D1RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SM6442D1RL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 521 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для SM6442D1RL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM6442D1RL даташит

 ..1. Size:767K  cn sps
 sm6442d1rl.pdf pdf_icon

SM6442D1RL

SM6442D1RL 40V /32A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /32A Single N Power MOSFET 32N04D General Description 40 V V DS 40V /32A Single N Power MOSFET 8.0 m RDS(on),TYP@VGS=10V Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 m RDS(on),TYP@VGS=4.5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 32 A ID Tape and reel Part ID Package Type Marking infomation 100% UIS Tested 100% Rg Tested

Другие IGBT... SM600R65CT9RL, SM600R65CT2TL, SM600R65CT1TL, SM6204D1RL, SM6358D1RL, SM6362D1RL, SM6366ED1RL, SM6426D1RL, IRF520, SM6512D1RL, SM6536D1RL, SM6590D1RL, SM66406D1RL, SM6796D1RL, SM6802S1RL, SM9435, SM95N03A