SM6442D1RL - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM6442D1RL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 521 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для SM6442D1RL
SM6442D1RL Datasheet (PDF)
sm6442d1rl.pdf

SM6442D1RL40V /32A Single N Power MOSFET D N04D N 40V /32A Single N Power MOSFET 32N04DGeneral Description 40 VV DS40V /32A Single N Power MOSFET 8.0 mRDS(on),TYP@VGS=10VVery low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V 11.0 mRDS(on),TYP@VGS=4.5Pb-free lead plating; RoHS compliant 32 AIDTape and reelPart ID Package Type Markinginfomation100% UIS Tested100% Rg Tested
Другие MOSFET... SM600R65CT9RL , SM600R65CT2TL , SM600R65CT1TL , SM6204D1RL , SM6358D1RL , SM6362D1RL , SM6366ED1RL , SM6426D1RL , CS150N03A8 , SM6512D1RL , SM6536D1RL , SM6590D1RL , SM66406D1RL , SM6796D1RL , SM6802S1RL , SM9435 , SM95N03A .
History: ZXM66P02N8 | FQD50P06 | L2N7002KLT1G | HY12N65T | SM6536D1RL | HAF2012S | HAT2114RJ
History: ZXM66P02N8 | FQD50P06 | L2N7002KLT1G | HY12N65T | SM6536D1RL | HAF2012S | HAT2114RJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328 | 2sc1845 transistor