SMIRF8N60T2TL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SMIRF8N60T2TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SMIRF8N60T2TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SMIRF8N60T2TL даташит

 5.1. Size:1247K  cn sps
 smirf8n60.pdf pdf_icon

SMIRF8N60T2TL

SMIRF8N60 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ID 8A SMIRF8N60 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 600V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson(max) 1.2 (VGS=10V, ID=4A) on-state resistance, provide superior switchi

 6.1. Size:1406K  cn sps
 smirf8n65.pdf pdf_icon

SMIRF8N60T2TL

SMIRF8N65 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ID 8A SMIRF8N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson(max) 1.2 (VGS=10V, ID=4A) on-state resistance, provide superior switchi

 9.1. Size:1604K  cn sps
 smirf16n65.pdf pdf_icon

SMIRF8N60T2TL

SMIRF16N65 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ID 16A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.6 (VGS=10V, ID=8A) on-state resistance, provide superior

 9.2. Size:1313K  cn sps
 smirf12n65.pdf pdf_icon

SMIRF8N60T2TL

SMIRF12N65 30V /36A Single N Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description ID 12A SMIRF12N65 is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor. The improved VDSS 650V planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize Rdson max 0.75 (VGS=10V, ID=6A) on-state resistance, provide superior

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SMIRF5N65T1TL, SMIRF5N65T2TL, SMIRF5N65TBRL, SMIRF5N65T9TL, SMIRF7N65T1TL, SMIRF7N65T2TL, SMIRF7N65T9RL, SMIRF8N60T1TL, 50N06, SMIRF8N65T1TL, SMIRF8N65T2TL, 2SK2941, 2SK2949L, 2SK2949S, 2SK2954-MR, 2SK296, 2SK2991L