2SK3399B datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SK3399B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для 2SK3399B
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SK3399B даташит
2sk3399b.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3399B FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.75 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid
2sk3399.pdf
2SK3399 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3399 Switching Regulator Applications Unit mm Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.54 (typ) High forward transfer admittance Yfs = 5.2 S (typ) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDSS = 600 V) Enhancementmode Vth = 3.0 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) Absolute M
2sk3399k.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3399K FEATURES Drain Current I = 10A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.75 (Max) @VGS= 10V DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid
2sk3398.pdf
2SK3398 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSV) 2SK3398 Switching Regulator and DC-DC Converter Applications Unit mm Motor Drive Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.4 m (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 9.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth
Другие IGBT... 2SK3305-S, 2SK3325-S, 2SK3325-ZJ, 2SK3352, 2SK3352B, 2SK3352K, 2SK3355-S, 2SK3355-ZJ, SKD502T, 2SK3399K, 2SK3820B, 2SK3820K, 2SK3821B, 2SK3821K, 2SK3822, 2SK3822B, 2SK3822K
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
Popular searches
c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943 | 7408 mosfet | cs630 | 2sc2705 transistor | 647 transistor




