YTF450 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: YTF450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для YTF450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF450 даташит

 ..1. Size:95K  1
 ytf450.pdf pdf_icon

YTF450

Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003 Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003

 ..2. Size:298K  inchange semiconductor
 ytf450.pdf pdf_icon

YTF450

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF450 FEATURES Drain Current I = 8A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.85 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. ABSOL

Другие IGBT... 2SK3834, 2SK3847B, 2SK3847K, 2SK384L, 2SK384S, 2SK3850D, 2SK3850I, YTF440, IRF1407, YTF531, YTF540, YTF541, YTF630, YTF631, YTF640, YTF820, YTF840