Справочник MOSFET. YTF531

 

YTF531 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YTF531
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF531 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  1
 ytf531.pdf pdf_icon

YTF531

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf531.pdf pdf_icon

YTF531

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF531FEATURESDrain Current : I = 14A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.18(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOL

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: INK0002AM1 | WMJ38N60C2 | PMPB23XNEA | ELM53401CA | AO6804A | AUIRFS4620 | PNM723T201E0

 

 
Back to Top

 


 
.