Справочник MOSFET. YTF840

 

YTF840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YTF840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  1
 ytf840.pdf pdf_icon

YTF840

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf840.pdf pdf_icon

YTF840

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF840FEATURESDrain Current : I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.85(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOL

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SJ542 | IRFB17N20D | SML802R4KN | JCS5N60V | SI3459BDV | NTD80N02 | FMP06N60ES

 

 
Back to Top

 


 
.