Справочник MOSFET. YTF840

 

YTF840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: YTF840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для YTF840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

YTF840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:59K  1
 ytf840.pdf pdf_icon

YTF840

 ..2. Size:288K  inchange semiconductor
 ytf840.pdf pdf_icon

YTF840

isc N-Channel MOSFET Transistor YTF840FEATURESDrain Current : I = 8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =0.85(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive.ABSOL

Другие MOSFET... YTF450 , YTF531 , YTF540 , YTF541 , YTF630 , YTF631 , YTF640 , YTF820 , 2N60 , 2SK3215 , 2SK3216-01 , 2SK3337N , 2SK3337W , 2SK3337-01 , 2SK3338N , 2SK3338W , 2SK3339-01 .

History: NVMFS016N06C | FQD2N30TM

 

 
Back to Top

 


 
.