2SK3338N - описание и поиск аналогов

 

2SK3338N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3338N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 340 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для 2SK3338N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3338N даташит

 ..1. Size:286K  inchange semiconductor
2sk3338n.pdfpdf_icon

2SK3338N

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3338N FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.27 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 7.1. Size:30K  fuji
2sk3338-01.pdfpdf_icon

2SK3338N

FUJI POWER MOS-FET 2SK3338-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unless otherwise specified) Item Symbol Rating Unit Eq

 7.2. Size:331K  inchange semiconductor
2sk3338w.pdfpdf_icon

2SK3338N

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3338W FEATURES Drain Current I = 20A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.27 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and solen

 8.1. Size:396K  1
2sk3339-01.pdfpdf_icon

2SK3338N

FUJI POWER MOS-FET 2SK3339-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 11.6 0.2 Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unless otherwise specified) Item Symbol Ratin

Другие MOSFET... YTF640 , YTF820 , YTF840 , 2SK3215 , 2SK3216-01 , 2SK3337N , 2SK3337W , 2SK3337-01 , 8N60 , 2SK3338W , 2SK3339-01 , 2SK3339N , 2SK3339W , 2SK3340-01 , 2SK3340N , 2SK3340W , 2SK3341-01 .

History: MTP12N18 | AGM628MD | 2SK1703

 

 

 

 

↑ Back to Top
.