2SK3339N - описание и поиск аналогов

 

2SK3339N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK3339N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для 2SK3339N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3339N даташит

 ..1. Size:286K  inchange semiconductor
2sk3339n.pdfpdf_icon

2SK3339N

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3339N FEATURES Drain Current I = 27A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.2 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

 7.1. Size:396K  1
2sk3339-01.pdfpdf_icon

2SK3339N

FUJI POWER MOS-FET 2SK3339-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 11.6 0.2 Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings (Tc=25 C unless otherwise specified) Item Symbol Ratin

 7.2. Size:330K  inchange semiconductor
2sk3339w.pdfpdf_icon

2SK3339N

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3339W FEATURES Drain Current I = 27A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 500V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.2 (Max) @ V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and soleno

 8.1. Size:411K  1
2sk3337-01.pdfpdf_icon

2SK3339N

FUJI POWER MOS-FET 2SK3337-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET 11.6 0.2 Features High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS (Uninterruptible Power Supply) DC-DC converters Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings Equivalent circuit schematic (Tc=25 C unless otherwise

Другие MOSFET... 2SK3215 , 2SK3216-01 , 2SK3337N , 2SK3337W , 2SK3337-01 , 2SK3338N , 2SK3338W , 2SK3339-01 , AO3400A , 2SK3339W , 2SK3340-01 , 2SK3340N , 2SK3340W , 2SK3341-01 , 2SK3341N , 2SK3341W , 2SK3362 .

History: CM7N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.