STU616S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STU616S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 58.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.077 Ohm
Тип корпуса: TO252 DPAK
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STU616S Datasheet (PDF)
stu616s std616s.pdf

GreenProductSTU/D616SaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.64 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 16A81 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGGSSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-25
stu618s std618s.pdf

GreenProductSTU/D618SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.56 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.21A60V70 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25
stu610s std610s.pdf

GreenProductSTU/D610SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.5A 240 @ VGS=10V60VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAK(TA
stu612d.pdf

GreenProductSTU612DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID76 @ VGS=10V 110 @ VGS=-10V60V 8.6A-60V -7.3A90 @ VGS=4.5V 145 @ VGS=-4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S 1G1S 2G2 P-chTO-252-4L S 1 N-ch S
Другие MOSFET... STU630S , FCH76N60N , STU624S , FCH76N60NF , STU622S , FCI25N60NF102 , STU618S , FCI7N60 , CS150N03A8 , FCP11N60F , STU612D , FCP11N60N , STU610S , FCP13N60N , STU609S , FCP16N60N , STU608S .
History: IPD50R500CE | CEM4946 | AP9971GD | QJD1210007 | IRLS4030PBF | IXTT02N450HV | IXFP18N65X2
History: IPD50R500CE | CEM4946 | AP9971GD | QJD1210007 | IRLS4030PBF | IXTT02N450HV | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554