Справочник MOSFET. STU612D

 

STU612D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STU612D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6(7.3) A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076(0.09) Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L

 Аналог (замена) для STU612D

 

 

STU612D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:269K  samhop
stu612d.pdf

STU612D
STU612D

GreenProductSTU612DaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)PRODUCT SUMMARY (N-Channel) PRODUCT SUMMARY (P-Channel)RDS(ON) (m) Max RDS(ON) (m) MaxVDSS ID VDSS ID76 @ VGS=10V 110 @ VGS=-10V60V 8.6A-60V -7.3A90 @ VGS=4.5V 145 @ VGS=-4.5VD1 D2D1/D2G 1G 2S 1G1S 2G2 P-chTO-252-4L S 1 N-ch S

 9.1. Size:122K  samhop
stu618s std618s.pdf

STU612D
STU612D

GreenProductSTU/D618SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.56 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.21A60V70 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25

 9.2. Size:120K  samhop
stu610s std610s.pdf

STU612D
STU612D

GreenProductSTU/D610SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.5A 240 @ VGS=10V60VTO-252 and TO-251 Package.GGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I - PAK(TA

 9.3. Size:127K  samhop
stu616s std616s.pdf

STU612D
STU612D

GreenProductSTU/D616SaS mHop Microelectronics C orp.Ver1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) TypVDSS IDRugged and reliable.64 @ VGS=10VSuface Mount Package.60V 16A81 @ VGS=4.5VESD Protected.DDGGSSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-25

Другие MOSFET... STU624S , FCH76N60NF , STU622S , FCI25N60NF102 , STU618S , FCI7N60 , STU616S , FCP11N60F , IRFP450 , FCP11N60N , STU610S , FCP13N60N , STU609S , FCP16N60N , STU608S , FCP22N60N , STU606S .

 

 
Back to Top