30N06-TO220. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 30N06-TO220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 920 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 typ Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для 30N06-TO220
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
30N06-TO220 даташит
30n06-to220.pdf
30N06 TO220 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Max) Definition Surface Mount 0.024 at VGS = 10 V 50 60 66 nC Available in Tape and Reel 0.028 at VGS = 4.5 V 40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS D
30n06-to252.pdf
30N06 TO252 www.VBsemi.tw N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( ) ID (A)a Available 175 C Junction Temperature 0.025 at VGS = 10 V 35 RoHS* 60 0.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANT TO-252 D G Drain Connected to Tab G D S S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise n
ssd30n06-39d.pdf
SSD30N06-39D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 30A, 60V, RDS(ON) 38 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are
am30n06-39ie.pdf
Analog Power AM30N06-39IE N-Channel 60-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 38 @ VGS = 10V 30 converters and power management in portable and 60 50 @ VGS = 4.5V 26 batt
Другие MOSFET... 2N0623 , 2N65-TO252 , 2SJ530STL , 2SJ598-Z-E1 , 2SK1589-T1B , 2SK1623 , 2SK2158-T1B , 30N06L , IRF1010E , 30N06-TO252 , 30N20 , 30P06 , 70N06L-TQ2 , 80N10 , AF2301PWL , AF4502CSLA , AFN3404S23RG .
History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP
History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet







