Справочник MOSFET. AP2301N

 

AP2301N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2301N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2301N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2301N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  cn vbsemi
ap2301n.pdfpdf_icon

AP2301N

AP2301Nwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

 0.1. Size:59K  ape
ap2301n-hf.pdfpdf_icon

AP2301N

AP2301N-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 130m Surface Mount Device ID -2.3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switchi

 8.1. Size:93K  ape
ap2301agn.pdfpdf_icon

AP2301N

AP2301AGNRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20V Small Package Outline RDS(ON) 97mD Surface Mount Device ID - 3.3ASSOT-23GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Glow on-resistance and cost-effec

 8.2. Size:56K  ape
ap2301agn-hf.pdfpdf_icon

AP2301N

AP2301AGN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 97m Surface Mount Device ID - 3.3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestcombination of fast switching,l

Другие MOSFET... AO4602 , AO4606A , AO4614-30V , AO4816 , AOD438 , AOD522 , AP10P10GH , AP2300GN , RU6888R , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M .

History: SDF10N100JEA | 15N65L-TF3-T | GSM3415 | SI4401BDY | IRF1324S | NCEAP4040Q | STS4DNF60L

 

 
Back to Top

 


 
.