Справочник MOSFET. AP2308GE

 

AP2308GE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2308GE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP2308GE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2308GE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:864K  cn vbsemi
ap2308ge.pdfpdf_icon

AP2308GE

AP2308GEwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC Conve

 0.1. Size:58K  ape
ap2308gen-hf.pdfpdf_icon

AP2308GE

AP2308GEN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 600m Fast Switching Performance ID 1.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible

 0.2. Size:146K  ape
ap2308gen.pdfpdf_icon

AP2308GE

AP2308GENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 600m Fast Switching Performance ID 1.2AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toGachieve the lowest possible on

 9.1. Size:96K  ape
ap2302gn-hf.pdfpdf_icon

AP2308GE

AP2302GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS CompliantSSOT-23GDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Dlow on-resistanc

Другие MOSFET... AOD438 , AOD522 , AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , MMIS60R580P , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , AP9435K .

History: 2SK3402 | SIR468DP | SSW80R160SFD | 2SK2746 | AP9965GEH | STS4DNF30L | 13N50L-TQ2-T

 

 
Back to Top

 


 
.