AP2310GG - описание и поиск аналогов

 

AP2310GG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2310GG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 typ Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для AP2310GG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2310GG даташит

 ..1. Size:1490K  cn vbsemi
ap2310gg.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GG www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n

 0.1. Size:56K  ape
ap2310gg-hf.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GG-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, S rug

 7.1. Size:49K  ape
ap2310gk-hf.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m S Fast Switching Characteristic ID 4.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC

 7.2. Size:94K  ape
ap2310gn-hf.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 3A S RoHS Compliant SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely e

Другие MOSFET... AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , IRFZ46N , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , AP9435K , AP9563M , AP9579GM .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.