Справочник MOSFET. AP2310GG

 

AP2310GG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2310GG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для AP2310GG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2310GG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1490K  cn vbsemi
ap2310gg.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GGwww.VBsemi.twN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.076 at VGS = 4.5 V 7.1RoHS29 nC COMPLIANT60APPLICATIONS0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n

 0.1. Size:56K  ape
ap2310gg-hf.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GG-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Srug

 7.1. Size:49K  ape
ap2310gk-hf.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GK-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC

 7.2. Size:94K  ape
ap2310gn-hf.pdfpdf_icon

AP2310GG

AP2310GN-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 3AS RoHS CompliantSOT-23GDDescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely e

Другие MOSFET... AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , STP65NF06 , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , AP9435K , AP9563M , AP9579GM .

History: PJW7N06A | UT3N10L-K08-3030-R | IXTA42N25P | 10N65AF | SWT20N65D | IRF2804LPBF | BSP170P

 

 
Back to Top

 


 
.