AP2310GG. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP2310GG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 typ Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для AP2310GG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP2310GG даташит
ap2310gg.pdf
AP2310GG www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.076 at VGS = 4.5 V 7.1 RoHS 29 nC COMPLIANT 60 APPLICATIONS 0.088 at VGS = 10 V 6.7 Load Switches for Portable Devices D D G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n
ap2310gg-hf.pdf
AP2310GG-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, S rug
ap2310gk-hf.pdf
AP2310GK-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Lower Gate Charge RDS(ON) 90m S Fast Switching Characteristic ID 4.1A D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-223 G Description D Advanced Power MOSFETs from APEC
ap2310gn-hf.pdf
AP2310GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60V D Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 3A S RoHS Compliant SOT-23 G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely e
Другие MOSFET... AP10P10GH , AP2300GN , AP2301N , AP2305GN , AP2306AGN , AP2306N , AP2308GE , AP2309AGN , IRFZ46N , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , AP9435K , AP9563M , AP9579GM .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet





