Справочник MOSFET. AP9435K

 

AP9435K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9435K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 35 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для AP9435K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9435K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:850K  cn vbsemi
ap9435k.pdfpdf_icon

AP9435K

AP9435Kwww.VBsemi.twP-Channel 35 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.050 at VGS = - 10 V - 6.2 TrenchFET Power MOSFET- 35 9.8 nC0.060 at VGS = - 4.5 V - 5.1 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECS APPLICATIONS Load S

 8.1. Size:169K  ape
ap9435gm-hf.pdfpdf_icon

AP9435K

AP9435GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDDD Low Gate Charge RDS(ON) 50mD Fast Switching ID -5.3AGS RoHS CompliantSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized devic

 8.2. Size:98K  ape
ap9435gh ap9435gj.pdfpdf_icon

AP9435K

AP9435GH/JRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching ID - 20AGSDescriptionGDAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to S TO-252(H)achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-

 8.3. Size:95K  ape
ap9435gp-hf.pdfpdf_icon

AP9435K

AP9435GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID - 15AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designerwith the best combination of fast switching, ruggedized

Другие MOSFET... AP2308GE , AP2309AGN , AP2310GG , AP4565GM-30V , AP4953M , AP85U03GH , AP9435GG , AP9435GK , IRF9640 , AP9563M , AP9579GM , AP9997GH , APM1110NUC , APM2054NDC , APM2300CAC , APM2301AC , APM2303AC .

History: ST18N10D | 2SK3857TK | AP9467AGH-HF | AP2306AGN | ZXMN3A01F | HY5208W | 2SK3596-01L

 

 
Back to Top

 


 
.