Справочник MOSFET. APM2314AC

 

APM2314AC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APM2314AC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028(typ) Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для APM2314AC

 

 

APM2314AC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2321K  cn vbsemi
 apm2314ac.pdf

APM2314AC APM2314AC

APM2314ACwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/DC

 8.1. Size:403K  shenzhen
 apm2317.pdf

APM2314AC APM2314AC

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., LtdAPM2317 P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,RDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5V RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management

 8.2. Size:133K  anpec
 apm2318a.pdf

APM2314AC APM2314AC

APM2318AN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/3A ,DRDS(ON)=35m(typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=40m(typ.) @ VGS=4.5VGRDS(ON)=60m(typ.) @ VGS=2.5VS Super High Dense Cell Design Top View of SOT-23 Reliable and Rugged Lead Free Available (RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in

 8.3. Size:650K  sino
 apm2317a.pdf

APM2314AC APM2314AC

APM2317A P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -20V/-4.5A ,DRDS(ON)=28m (typ.) @ VGS=-4.5VSRDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=-2.5VG RDS(ON)=55m (typ.) @ VGS=-1.8VTop View of SOT-23-3 Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedS Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications G Power Management in Notebook Com

 8.4. Size:851K  cn vbsemi
 apm2315ac.pdf

APM2314AC APM2314AC

APM2315ACwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-2

 8.5. Size:854K  cn vbsemi
 apm2317ac.pdf

APM2314AC APM2314AC

APM2317ACwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top