APM3009NUC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APM3009NUC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APM3009NUC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM3009NUC даташит

 ..1. Size:845K  cn vbsemi
apm3009nuc.pdfpdf_icon

APM3009NUC

APM3009NUC www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSO

 6.1. Size:723K  anpec
apm3009n.pdfpdf_icon

APM3009NUC

APM3009N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/70A , RDS(ON)=7m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=11m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Advanced Cell Design for Extremely Low RDS(ON) Reliable and Rugged 1 2 3 TO-220 , TO-252 and TO-263 Packages G D S Applications Top View of TO-220, TO

 9.1. Size:184K  anpec
apm3095pu.pdfpdf_icon

APM3009NUC

APM3095PU P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -30V/-8A, RDS(ON)=95m (typ.) @ VGS=-10V G D RDS(ON)=140m (typ.) @ VGS=-4.5V Super High Dense Cell Design S Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free Available (RoHS Compliant) S Applications Power Management in Desktop Computer or G DC/DC Converters D P-Channel MOSFET Ordering and

 9.2. Size:212K  anpec
apm3023n.pdfpdf_icon

APM3009NUC

APM3023N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 30V/30A, RDS(ON)=15m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=22m (typ.) @ VGS=5V Super High Dense Cell Design 1 2 3 1 2 3 High Power and Current Handling Capability G D S TO-252.TO-220 and SOT-223 Packages G D S Top View of SOT-223 Top View of TO-25

Другие IGBT... APM2309AC, APM2314AC, APM2315AC, APM2317AC, APM2321AAC, APM2321AC, APM2323AAC, APM2701ACC-TRG, IRFB4110, APM3040NDC, APM3054NUC, APM3055LUC, APM4010NUC, APM4050APUC, APM4050PUC, APM4303KC, APM4330KC