BSC019N04NS - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

BSC019N04NS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: BSC019N04NS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025(typ) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для BSC019N04NS

BSC019N04NS Datasheet (PDF)

..1. Size:3484K cn vbsemi
bsc019n04ns.pdf

BSC019N04NSwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET40 38 nC0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DCD

0.1. Size:377K infineon
bsc019n04nsg.pdf

BSC019N04NS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 40 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.9mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Normal level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)

5.1. Size:526K infineon
bsc019n04ls.pdf

BSC019N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec.RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 37 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-

6.1. Size:663K infineon
bsc019n02ks.pdf