BSC019N04NS - описание и поиск аналогов

 

BSC019N04NS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC019N04NS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 typ Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для BSC019N04NS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC019N04NS даташит

 ..1. Size:3484K  cn vbsemi
 bsc019n04ns.pdf pdf_icon

BSC019N04NS

BSC019N04NS www.VBsemi.tw N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0025 at VGS = 10 V 120 TrenchFET Power MOSFET 40 38 nC 0.0028 at VGS = 6.5 V 105 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Synchronous Rectification Secondary Side DC/DC D

 0.1. Size:377K  infineon
 bsc019n04nsg.pdf pdf_icon

BSC019N04NS

 5.1. Size:526K  infineon
 bsc019n04ls.pdf pdf_icon

BSC019N04NS

BSC019N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 1.9 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A 100% avalanche tested QOSS 37 nC Superior thermal resistance QG(0V..10V) 41 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

 6.1. Size:663K  infineon
 bsc019n02ks.pdf pdf_icon

BSC019N04NS

% ! % D # A0

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APM4828KC-TRL , APM4927KC , APM4953KC , APM7313KC , APM7318KC , APM8010KC , APM9435KC , APM9945KC , IRF9540 , BUK9832-55 , C3028LD , CEA3055 , CEA3055L , CEG8205 , CEM4936 , CEM4946 , CEM9926 .

History: BSC042NE7NS3G | BSC042N03MSG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.