CEM4946 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CEM4946
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 11.7 nC
Время нарастания (tr): 3.3 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: SO8
CEM4946 Datasheet (PDF)
cem4946.pdf
CEM4946www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Channel
cem4948.pdf
CEM4948Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES5-60V, -3.1A, RDS(ON) = 120m @VGS = -10V. RDS(ON) = 150m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.D1 D1 D2 D28 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA =
cem4953a.pdf
CEM4953ADual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -4.5A, RDS(ON) = 58m @VGS = -10V. RDS(ON) = 85m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25
cem4953h.pdf
CEM4953HDual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-30V, -4.5A, RDS(ON) = 64m @VGS = -10V. RDS(ON) = 95m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM
cem4936.pdf
CEM4936www.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IRLB3034PBF
History: IRLB3034PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLC700MM10SCN2 | SLC500MM20SHN2 | SLC500MM15SHN2 | SLC500MM10SCT2 | SFW280N600C4 | SFW280N600BC4 | SFW1800N650C2 | SFW132N200I3 | SFW107N200C3 | SFW097N200C3 | SFW095N200C3 | SFW082N165C3 | SFW072N150C2 | SFW043N150C3 | SFW042N100C3 | SFW031N100C3