Справочник MOSFET. STU434S

 

STU434S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STU434S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для STU434S

 

 

STU434S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  samhop
 stu434s std434s.pdf

STU434S STU434S

GreenProductSTU/D434SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.2 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11.5 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO -

 9.1. Size:121K  samhop
 stu432s std432s.pdf

STU434S STU434S

GreenProductSTU/D432SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.2. Size:110K  samhop
 stu435s std435s.pdf

STU434S STU434S

GrPPrPPSTU/D435SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.-40V -38A27 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.3. Size:127K  samhop
 stu438a std438a.pdf

STU434S STU434S

GreenProductSTU/D438AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO251 Package.40V 47A11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES(D- )TO - 252AA PAK ( )TO - 251 I - PAK

 9.4. Size:110K  samhop
 stu432l std432l.pdf

STU434S STU434S

GrerrPPrPrProSTU/D432LaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.10 @ VGS=10VTO-252 and TO251 Package.40V 42A15 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES(D- )TO - 252AA PAK ( )TO -

 9.5. Size:128K  samhop
 stu437s std437s.pdf

STU434S STU434S

STU437SGreenProductSTD437SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.16 @ VGS=-10VSuface Mount Package.-40V -32A30 @ VGS=-4.5V GSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.6. Size:112K  samhop
 stu438s std438s.pdf

STU434S STU434S

GreerrPPrPrProSTU/D438SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.4N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m ) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK (

Другие MOSFET... STU608S , FCP22N60N , STU606S , FCP25N60NF102 , STU602S , FCP36N60N , STU6025NL2 , FCP4N60 , P0903BDG , FCP7N60 , STU432S , FCP9N60N , STU432L , FCPF11N60NT , STU428S , FCPF13N60NT , STU426S .

 

 
Back to Top