Справочник MOSFET. STU434S

 

STU434S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STU434S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 211 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STU434S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:123K  samhop
stu434s std434s.pdfpdf_icon

STU434S

GreenProductSTU/D434SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9.2 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11.5 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO -

 9.1. Size:121K  samhop
stu432s std432s.pdfpdf_icon

STU434S

GreenProductSTU/D432SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.50A40V11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.2. Size:110K  samhop
stu435s std435s.pdfpdf_icon

STU434S

GrPPrPPSTU/D435SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.17.5 @ VGS=10VSuface Mount Package.-40V -38A27 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251

 9.3. Size:127K  samhop
stu438a std438a.pdfpdf_icon

STU434S

GreenProductSTU/D438AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.9 @ VGS=10VTO-252 and TO251 Package.40V 47A11 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES(D- )TO - 252AA PAK ( )TO - 251 I - PAK

Другие MOSFET... STU608S , FCP22N60N , STU606S , FCP25N60NF102 , STU602S , FCP36N60N , STU6025NL2 , FCP4N60 , 2N60 , FCP7N60 , STU432S , FCP9N60N , STU432L , FCPF11N60NT , STU428S , FCPF13N60NT , STU426S .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.