Справочник MOSFET. DMC3018LSD-13

 

DMC3018LSD-13 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMC3018LSD-13
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMC3018LSD-13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1031K  cn vbsemi
dmc3018lsd-13.pdfpdf_icon

DMC3018LSD-13

DMC3018LSD-13www.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 a

 4.1. Size:179K  diodes
dmc3018lsd.pdfpdf_icon

DMC3018LSD-13

DMC3018LSDCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Complementary Pair MOSFET Case: SO-8 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 N-Channel: 20m @ 10V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 32m @ 4.5V Terminals Connections: See Diag

 8.1. Size:464K  diodes
dmc3016lsd.pdfpdf_icon

DMC3018LSD-13

DMC3016LSD COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits ID Low Input Capacitance Device V(BR)DSS RDS(on) max TA = +25C Low On-Resistance Fast Switching Speed 16m @ VGS = 10V 8.2A Q2 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 20m @ VGS = 4.5V 7.3A Halogen and Antimony Free. Green Device (Not

 9.1. Size:446K  fairchild semi
fdmc3020dc.pdfpdf_icon

DMC3018LSD-13

October 2010FDMC3020DCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 30 V, 40 A, 6.25 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 6.25 m at VGS = 10 V, ID = 12 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 9.0 m a

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 7N65KG-TQ2-R | AP50WN270W | ME7642-G | IPP075N15N3G | IXTT110N10P | BLF881S | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.