FR2307Z - аналоги и даташиты транзистора

 

FR2307Z - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FR2307Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0185 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FR2307Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FR2307Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1646K  cn vbsemi
 fr2307z.pdf pdf_icon

FR2307Z

FR2307Zwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0185 at VGS = 10 V 100 60 38 nCAPPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC ConverterTO-252D G S G D STop View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwi

 0.1. Size:352K  international rectifier
 irfr2307zpbf irfu2307zpbf.pdf pdf_icon

FR2307Z

PD - 96191BIRFR2307ZPbFIRFU2307ZPbFFeatures Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceD 175C Operating TemperatureVDSS = 75V Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free RDS(on) = 16mGDescriptionID = 42AThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestSprocessing techniques to achieve extremely lowon-resi

 0.2. Size:298K  international rectifier
 auirfr2307ztr.pdf pdf_icon

FR2307Z

PD - 97546AUTOMOTIVE GRADEAUIRFR2307ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-ResistanceDV(BR)DSS 75V 175C Operating TemperatureRDS(on) max.16m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax GID (Silicon Limited) 53A Lead-Free, RoHS CompliantSID (Package Limited) 42A Automotive Qualified *Desc

 0.3. Size:678K  infineon
 auirfr2307z.pdf pdf_icon

FR2307Z

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFR2307Z Features HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 75V 175C Operating Temperature RDS(on) max. 16m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax ID (Silicon Limited) 53A Lead-Free, RoHS Compliant Automotive Qualified * ID (Package Limited) 42A D Descri

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FDW2601NZ , FL014N , FNK10N25B , FQD13N10LTF , FQD20N06LE , FQU13N06 , FQU13N10 , FR120N , IRF840 , FR5305 , FR5505 , FR9N20D , FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N .

 

 
Back to Top

 


 
.