Справочник MOSFET. FU9024N

 

FU9024N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FU9024N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для FU9024N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FU9024N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  cn vbsemi
 fu9024n.pdf pdf_icon

FU9024N

FU9024Nwww.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % UIS Tested0.066 at VGS = - 10 V - 20APPLICATIONS- 60 40 nC at VGS = - 4.5 V - 180.080 Load SwitchTO-251SGDP-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless otherwise noted)Para

 0.1. Size:1347K  1
 irfr9024ncpbf irfu9024ncpbf.pdf pdf_icon

FU9024N

PD - 96048IRFR9024NCPbFIRFU9024NCPbF(IRFR9024NCPbF)(IRFU9024NCPbF) Lead-Freewww.irf.com 105/31/06IRFR/U9024NCPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NCPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NCPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc

 0.2. Size:1384K  international rectifier
 irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf pdf_icon

FU9024N

PD - 95015AIRFR9024NPbFIRFU9024NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/14/04IRFR/U9024NPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In

 0.3. Size:529K  infineon
 auirfr9024n auirfu9024n.pdf pdf_icon

FU9024N

AUIRFR9024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU9024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance P-Channel RDS(on) max. 0.175 Dynamic dv/dt Rating ID -11A 150C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D D Lead-Free, RoHS Complian

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FR5305 , FR5505 , FR9N20D , FSS210 , FTD2017 , FTD2017A , FTU36N06N , FU120N , IRFP260N , FW232A-TL-E , FW342-TL , G2306A , G2309 , GE3401 , GF4435 , GT4953 , GTT8205S .

History: MTE130N20KE3

 

 
Back to Top

 


 
.