Справочник MOSFET. STU421S

 

STU421S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STU421S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Общий заряд затвора (Qg): 17 nC
   Выходная емкость (Cd): 135 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO252 DPAK

 Аналог (замена) для STU421S

 

 

STU421S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  samhop
stu421s std421s.pdf

STU421S
STU421S

GreenProductSTU/D421SSamHop Microelectronics Corp.Aug.20,2006P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPRODUCT SUMMARY FEATURESRDS(ON) ( m ) MaxVDSS ID Super high dense cell design for low RDS(ON).Rugged and reliable.45 @ VGS = -10V-40V -10ATO-252 and TO-251 Package.60 @ VGS = -4.5VDDDGGGSSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK)

 9.1. Size:113K  samhop
stu426s std426s.pdf

STU421S
STU421S

S TU/D426SS amHop Microelectronics C orp.Oct,2007 ver1.1N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUCT S UMMAR Y FEATUR ESS uper highdense cell design for lowR DS (ON).TypVDS S ID R DS (ON) ( m )R ugged and reliable.8 @ VGS =10V40V 53ATO-252 and TO-251 Package.10 @ VGS =4.5VDDGSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)

 9.2. Size:94K  samhop
stu428s std428s.pdf

STU421S
STU421S

S TU/D428SS amHop Microelectronics C orp.Mar.8,2007N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect TransistorFEATUR ESPR ODUCT S UMMAR YS uper high dense cell design for low R DS (ON).TypVDS S ID R DS (ON) ( m )R ugged and reliable.8 @ VGS =10VSurface Mount Package.40V 50A10 @ VGS =4.5VESD Protected.DDGGSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-

 9.3. Size:91K  samhop
stu420s std420s.pdf

STU421S
STU421S

S TU/D420SS amHop Microelectronics C orp.July 05,2006N-Channel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.24 @ VGS = 10V24A40VTO-252 and TO-251 Package.30 @ VGS =4.5VDDGSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PA

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDD4685-F085

 

 
Back to Top