Справочник MOSFET. IRF7205TR

 

IRF7205TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7205TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для IRF7205TR

 

 

IRF7205TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:806K  cn vbsemi
 irf7205tr.pdf

IRF7205TR IRF7205TR

IRF7205TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop

 7.1. Size:273K  international rectifier
 irf7205pbf-1.pdf

IRF7205TR IRF7205TR

IRF7205PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS -30 V1 8S DRDS(on) max 2 70.07 S D(@V = -10V)GS3 6RDS(on) max S D0.13 (@V = -4.5V)GS45G DQg (typical) 27 nCSO-8ID Top View-4.6 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturi

 7.2. Size:277K  international rectifier
 irf7205pbf.pdf

IRF7205TR IRF7205TR

IRF7205PbF l Adavanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl P-Channel MOSFET 2 7S Dl Surface Mountl Available in Tape & Reel 3 6S D l Dynamic dv/dt Rating45G Dl Fast Switching l Lead-FreeTop ViewDescription

 7.3. Size:166K  international rectifier
 irf7205.pdf

IRF7205TR IRF7205TR

PD - 9.1104BIRF7205HEXFET Power MOSFET Adavanced Process TechnologyA1 8S D Ultra Low On-ResistanceVDSS = -30V2 7 P-Channel MOSFETS D Surface Mount3 6S DRDS(on) = 0.070 Available in Tape & Reel4 5G D Dynamic dv/dt RatingID = -4.6A Fast SwitchingT op ViewDescriptionFourth Generation HEXFETs from InternationalRectifier utilize advanced process

 7.4. Size:277K  infineon
 irf7205pbf.pdf

IRF7205TR IRF7205TR

IRF7205PbF l Adavanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl P-Channel MOSFET 2 7S Dl Surface Mountl Available in Tape & Reel 3 6S D l Dynamic dv/dt Rating45G Dl Fast Switching l Lead-FreeTop ViewDescription

 7.5. Size:1894K  kexin
 irf7205.pdf

IRF7205TR IRF7205TR

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETIRF7205 (KRF7205)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-4.6 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 70m (VGS =-10V) RDS(ON) 130m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain Fast Switching6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateA1 8S D2 7S D3 6S D4 5G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3221-AZ

 

 
Back to Top