IRF7319TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF7319TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
IRF7319TR Datasheet (PDF)
irf7319tr.pdf

IRF7319TRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG
auirf7319q.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.0423 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.05845G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 6.5A -4.9A Fully Avalanch
irf7319.pdf

PD - 9.1606AIRF7319PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE TN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30V Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2P-C H ANN EL MO SFE TRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7319pbf.pdf

PD - 95267IRF7319PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30Vl Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45l Lead-Free G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FDMS86350ET80 | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK2424 | CM20N50P | 2SK4108 | AP9997GP-HF
History: FDMS86350ET80 | JCS2N60MB | P0908ATF | 2SK2424 | CM20N50P | 2SK4108 | AP9997GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955