IRF7319TR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7319TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 typ Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7319TR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7319TR даташит
irf7319tr.pdf
IRF7319TR www.VBsemi.tw N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) Definition ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS Tested N-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 0.024 at VGS = 4.5 V 8e 0.032 at VG
auirf7319q.pdf
AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8 S1 D1 VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7 G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.042 3 6 S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.058 4 5 G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFET ID 6.5A -4.9A Fully Avalanch
irf7319.pdf
PD - 9.1606A IRF7319 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFE T N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V Surface Mount 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-C H ANN EL MO SFE T RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifi
irf7319pbf.pdf
PD - 95267 IRF7319PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology N-CHANNEL MOSFET N-Ch P-Ch 1 8 l Ultra Low On-Resistance S1 D1 l Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 VDSS 30V -30V l Surface Mount 3 6 S2 D2 l Fully Avalanche Rated 4 5 l Lead-Free G2 D2 P-CHANNEL MOSFET RDS(on) 0.029 0.058 Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifi
Другие IGBT... IRF7306QTR, IRF7306TR, IRF7309TRPBF, IRF7311TR, IRF7313QTR, IRF7313TR, IRF7314TRPBF, IRF7317TR, AO3400A, IRF7321D2TRPBF, IRF7324TR, IRF7341TRPBF, IRF7342QTR, IRF7342TR, IRF7343QTR, IRF7343TRPBF, IRF7379TR
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955




