Справочник MOSFET. IRF7319TR

 

IRF7319TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7319TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018(typ) Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7319TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7319TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:892K  cn vbsemi
irf7319tr.pdfpdf_icon

IRF7319TR

IRF7319TRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) () DefinitionID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.018 at VGS = 10 V 8e 100 % Rg and UIS TestedN-Channel 30 0.020 at VGS = 8 V 8e 6.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.024 at VGS = 4.5 V 8e0.032 at VG

 7.1. Size:365K  1
auirf7319q.pdfpdf_icon

IRF7319TR

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7319Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 30V -30V Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.023 0.0423 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.029 0.05845G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 6.5A -4.9A Fully Avalanch

 7.2. Size:137K  international rectifier
irf7319.pdfpdf_icon

IRF7319TR

PD - 9.1606AIRF7319PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE TN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30V Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2P-C H ANN EL MO SFE TRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi

 7.3. Size:224K  international rectifier
irf7319pbf.pdfpdf_icon

IRF7319TR

PD - 95267IRF7319PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET 2 7G1 D1VDSS 30V -30Vl Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45l Lead-Free G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.029 0.058Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifi

Другие MOSFET... IRF7306QTR , IRF7306TR , IRF7309TRPBF , IRF7311TR , IRF7313QTR , IRF7313TR , IRF7314TRPBF , IRF7317TR , RU6888R , IRF7321D2TRPBF , IRF7324TR , IRF7341TRPBF , IRF7342QTR , IRF7342TR , IRF7343QTR , IRF7343TRPBF , IRF7379TR .

History: NCE4612SP | 2SK988 | IRFH5006 | SSF7509J7 | SI7115DN | IPI60R299CP | IRF7425TR

 

 
Back to Top

 


 
.