IRF7473TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF7473TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 28.5 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm
Тип корпуса: SO8
IRF7473TR Datasheet (PDF)
irf7473tr.pdf
IRF7473TRwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.040 at VGS = 10 V 6.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses100 23 nC0.047 at VGS = 8 V 5.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONSSO
irf7473trpbf.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRF7473TRPBFFEATURESWith SOP-8 packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
irf7473pbf.pdf
PD- 95559IRF7473PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl Telecom and Data-Com 24 and 48VVDSS RDS(on) max IDinput DC-DC convertersl Motor Control100V 26mW@VGS = 10V 6.9Al Uninterrutible Power Supplyl Lead-FreeBenefitsl Ultra Low On-ResistanceAA1 8l High Speed Switching S Dl Low Gate Drive Current Due to Improved 2 7S DGate Charge Characteristic3 6S Dl Imp
irf7473.pdf
PD- 94037AIRF7473HEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max ID Telecom and Data-Com 24 and 48Vinput DC-DC converters100V 26m@VGS = 10V 6.9A Motor Control Uninterrutible Power SupplyBenefits Ultra Low On-ResistanceAA High Speed Switching 1 8S D Low Gate Drive Current Due to Improved2 7S DGate Charge Characteristic3 6S D Im
irf7473pbf-1.pdf
IRF7473PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS 100 VA1 8S DRDS(on) max 26 m2 7(@V = 10V) S DGSQg (typical) 61 nC3 6S DID 4 56.9 AG D(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free Environmen
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
