IRF7811AVTR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7811AVTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 typ Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF7811AVTR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7811AVTR даташит
irf7811avtr.pdf
IRF7811AVTR www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch
irf7811av.pdf
PD-94009 IRF7811AV IRF7811AV N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses A Low Switching Losses A 1 8 S D Minimizes Parallel MOSFETs for high current applications 2 7 S D 3 6 Description S D This new device employs advanced HEXFET Power 4 5 G D MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of
irf7809 irf7811.pdf
PD - 93812 PD - 93813 IRF7809/IRF7811 IRF7809/IRF7811 Provisional Datasheet N-Channel Application-Specific MOSFETs HEXFET Chipset for DC-DC Converters Ideal for CPU Core DC-DC Converters New CopperStrapTM Interconnect for Lower A A Electrical and Thermal Resistance 1 8 S D Low Conduction Losses 2 7 Low Switching Losses S D Minimizes Parallel MOSFETs fo
irf7811w.pdf
PD-94031D IRF7811W HEXFET Power MOSFET for DC-DC Converters N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses A 1 8 Low Switching Losses S D 100% Tested for RG 2 7 S D 3 6 S D Description 4 5 G D This new device employs advanced HEXFET Power MOSFET technology to achieve an unprecedented balance of on-resist
Другие IGBT... IRF7469TR, IRF7470TRPBF-10, IRF7471TR, IRF7473TR, IRF7475TRP, IRF7478TR, IRF7751GTR, IRF7807ATR, IRF540N, IRF7811WTR, IRF7815TR, IRF7831TR, IRF7834TRPBF, IRF7842TR, IRF7905TR, IRF8010SP, IRF830ASTRL
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
bc550c | 2n3904 transistor datasheet | p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor






