IRF8721TR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF8721TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 typ Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для IRF8721TR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF8721TR даташит
irf8721tr.pdf
IRF8721TR www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.008 at VGS = 10 V 13 30 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.011 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch
irf8721pbf-1.pdf
IRF8721PbF-1 HEXFET Power MOSFET A VDS 30 V A 1 8 S D RDS(on) max 8.5 m 2 7 S D (@V = 10V) GS 3 6 Qg (typical) 8.3 nC S D ID 4 5 G D 14 A (@T = 25 C) A SO-8 Top View Applications l Control MOSFET of Sync-Buck Converters used for Notebook Processor Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Features Benefits Industry-standard pinou
irf8721pbf.pdf
PD - 97119 IRF8721PbF HEXFET Power MOSFET Applications l Control MOSFET of Sync-Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters used for Notebook Processor 8.5m 30V @VGS = 10V 8.3nC Power l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A A Benefits 1 8 S D l Very Low Gate Charge 2 7 S D l Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 S D l Low Gate Impedance 4 5 G D l Ful
irf8721gpbf.pdf
PD - 96262 IRF8721GPbF Applications HEXFET Power MOSFET l Control MOSFET of Sync-Buck VDSS RDS(on) max Qg Converters used for Notebook Processor Power 8.5m @VGS = 10V 30V 8.3nC l Control MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems A Benefits A 1 8 S D l Very Low Gate Charge 2 7 S D l Low RDS(on) at 4.5V VGS 3 6 l Low Gate Impedance S D 4 5 l Fully Chara
Другие MOSFET... IRF7831TR , IRF7834TRPBF , IRF7842TR , IRF7905TR , IRF8010SP , IRF830ASTRL , IRF830ASTRL-FP , IRF830P , AO3400 , IRF8736TR , IRF9310TRPBF-9 , IRF9332TR , IRF9335TRPBF , IRF9389TR , IRF9530P , IRFBC30P , IRFH3702TR .
History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4
History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor




