IRF9332TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF9332TR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 43 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 380 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0125 Ohm
Тип корпуса: SO8
IRF9332TR Datasheet (PDF)
irf9332tr.pdf
IRF9332TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Desktop PC
irf9332pbf.pdf
PD - 97561IRF9332PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VRDS(on) max 17.5 m(@VGS = -10V)RDS(on) max 28.1 m(@VGS = -4.5V)Qg (typical)14 nCSO-8ID -9.8 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsIndustry-Standard SO-8 Package results in M
irf9335pbf.pdf
PD - 96311AIRF9335PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VS 18 DRDS(on) max 59 mS 27 D(@VGS = -10V)S 3 6 DRDS(on) max 110 m(@VGS = -4.5V)G 4 5 DQg (typical)9.1 nCSO-8ID -5.4 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery Application System/Load SwitchFeatures and BenefitsFeatures Resulting BenefitsIndustry-S
irf9333pbf.pdf
PD - 97523IRF9333PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VRDS(on) max 19.4 m(@VGS = -10V) RDS(on) max 32.5 m(@VGS = -4.5V)Qg (typical)14 nCSO-8ID -9.2 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesIndustry-Standard SO8 Package Multi-Vendor CompatibilityRoHS Complian
irf9333pbf.pdf
PD - 97523IRF9333PbFHEXFET Power MOSFETVDS-30 VRDS(on) max 19.4 m(@VGS = -10V) RDS(on) max 32.5 m(@VGS = -4.5V)Qg (typical)14 nCSO-8ID -9.2 A(@TA = 25C)Applications Charge and Discharge Switch for Notebook PC Battery ApplicationFeatures and BenefitsResulting BenefitsFeaturesIndustry-Standard SO8 Package Multi-Vendor CompatibilityRoHS Complian
irf9335trpbf.pdf
IRF9335TRPBFwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5D
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
