IRFI9540GP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFI9540GP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 typ Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для IRFI9540GP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFI9540GP даташит
irfi9540gp.pdf
IRFI9540GP www.VBsemi.tw P-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.220 at VGS = - 10 V - 12 TrenchFET Power MOSFET - 100 11.7 0.230 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Power Switch DC/DC C
irfi9540g.pdf
PD - 95609 IRFI9540GPbF Lead-Free 7/29/03 Document Number 91164 www.vishay.com 1 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 2 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 3 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 4 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 5 IRFI9540GPbF Document Number 91164 www.vishay.com 6 IRFI9540GPbF Peak
irfi9540g-pbf sihfi9540g.pdf
IRFI9540G, SiHFI9540G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.20 RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 14 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 29 Dynamic dV/dt
irfi9540g sihfi9540g.pdf
IRFI9540G, SiHFI9540G Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Isolated Package VDS (V) - 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; Available f = 60 Hz) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.20 RoHS* Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8 mm Qg (Max.) (nC) 61 COMPLIANT P-Channel Qgs (nC) 14 175 C Operating Temperature Qgd (nC) 29 Dynamic dV/dt
Другие MOSFET... IRF8736TR , IRF9310TRPBF-9 , IRF9332TR , IRF9335TRPBF , IRF9389TR , IRF9530P , IRFBC30P , IRFH3702TR , 7N65 , IRFIZ24GP , IRFL110TR , IRFL210TRPBF , IRFL4310TR , IRFL9014TRPBF , IRFL9110TRPBF , IRFR024NTR , IRFR110TR .
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c | 2sa726 | 2sd313 | 2sc536 | d718 transistor




