Справочник MOSFET. IRFL4310TR

 

IRFL4310TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFL4310TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 6 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 67 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.054 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для IRFL4310TR

 

 

IRFL4310TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2332K  cn vbsemi
 irfl4310tr.pdf

IRFL4310TR IRFL4310TR

IRFL4310TRwww.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 30 AEC-Q101 QualifiedcRDS(on) () at VGS = 10 V 0.019 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.021ID (A) 7Configuration SingleDSOT-223GDSDGSN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PA

 6.1. Size:659K  international rectifier
 irfl4310pbf.pdf

IRFL4310TR IRFL4310TR

PD - 95144IRFL4310PbFHEXFET Power MOSFETD Surface MountVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Ease of ParallelingRDS(on) = 0.20 Advanced Process TechnologyG Ultra Low On-ResistanceID = 1.6A Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per

 6.2. Size:313K  international rectifier
 irfl4310.pdf

IRFL4310TR IRFL4310TR

PD - 91368BIRFL4310HEXFET Power MOSFETDVDSS = 100Vl Surface Mountl Dynamic dv/dt Ratingl Fast SwitchingRDS(on) = 0.20Wl Ease of ParallelingGl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceID = 1.6ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon ar

 6.3. Size:662K  infineon
 irfl4310pbf.pdf

IRFL4310TR IRFL4310TR

PD - 95144IRFL4310PbFHEXFET Power MOSFETD Surface MountVDSS = 100V Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Ease of ParallelingRDS(on) = 0.20 Advanced Process TechnologyG Ultra Low On-ResistanceID = 1.6A Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top