Справочник MOSFET. IRFR3708TR

 

IRFR3708TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR3708TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 61 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 525 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR3708TR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR3708TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2739K  cn vbsemi
irfr3708tr.pdfpdf_icon

IRFR3708TR

IRFR3708TRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSO

 6.1. Size:220K  international rectifier
irfr3708pbf irfu3708pbf.pdfpdf_icon

IRFR3708TR

PD - 95071AIRFR3708PbFSMPS MOSFETIRFU3708PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsl High Frequency DC-DC Isolated ConvertersVDSS RDS(on) max IDwith Synchronous Rectification for Telecom 30V 12.5m 61Aand Industrial Usel High Frequency Buck Converters forComputer Processor Powerl Lead-FreeBenefitsl Ultra-Low Gate Impedancel Very Low RDS(on) at 4.5V VGS D-Pak I-P

 6.2. Size:129K  international rectifier
irfr3708.pdfpdf_icon

IRFR3708TR

PD - 93935BIRFR3708SMPS MOSFETIRFU3708HEXFET Power MOSFETApplications High Frequency DC-DC Isolated ConvertersVDSS RDS(on) max IDwith Synchronous Rectification for Telecom 30V 12.5m 61A and Industrial Use High Frequency Buck Converters forComputer Processor PowerBenefits Ultra-Low Gate Impedance Very Low RDS(on) at 4.5V VGS Fully Characterized Avalanche Vol

 6.3. Size:243K  inchange semiconductor
irfr3708.pdfpdf_icon

IRFR3708TR

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFR3708, IIRFR3708FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)12.5mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh Frequency Synchronous Buck Converters For ComputerProcessor PowerABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

Другие MOSFET... IRFR13N20DTR , IRFR15N20DTR , IRFR2307ZTR , IRFR310P , IRFR310T , IRFR3410TR , IRFR3411TR , IRFR3707ZTR , 4435 , IRFR3709ZCT , IRFR3709ZT , IRFR3709ZTR , IRFR3710ZTR , IRFR3910TR , IRFR4104TRPBF , IRFR4105ZTR , IRFR420BTM .

History: SFG10R140DF | WMO15N70C4

 

 
Back to Top

 


 
.