IRFU3505P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFU3505P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01(typ) Ohm
Тип корпуса: TO251
IRFU3505P Datasheet (PDF)
irfu3505p.pdf
IRFU3505Pwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbo
irfr3505pbf irfu3505pbf.pdf
PD - 95511BIRFR3505PbFIRFU3505PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 0.013G Lead-FreeID = 30ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processingtechniques to achieve extremely low on-resis
irfu3505.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3505FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
irfr3504zpbf irfu3504zpbf.pdf
PD - 95521BIRFR3504ZPbFIRFU3504ZPbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 9.0m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-re
irfu3504z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3504ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD