Справочник MOSFET. IRLR2705TRPBF

 

IRLR2705TRPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLR2705TRPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRLR2705TRPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR2705TRPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:769K  cn vbsemi
 irlr2705trpbf.pdf pdf_icon

IRLR2705TRPBF

IRLR2705TRPBFwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise

 6.1. Size:162K  international rectifier
 irlr2705.pdf pdf_icon

IRLR2705TRPBF

PD- 9.1317BIRLR/U2705PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Surface Mount (IRLR2705) Straight Lead (IRLU2705)RDS(on) = 0.040G Advanced Process Technology Fast SwitchingID = 28A S Fully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to

 6.2. Size:260K  international rectifier
 irlr2705pbf irlu2705pbf.pdf pdf_icon

IRLR2705TRPBF

PD - 95062AIRLR2705PbFIRLU2705PbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2705)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2705)l Advanced Process Technologyl Fast Switching RDS(on) = 0.040Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 28ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedp

 6.3. Size:260K  international rectifier
 irlu2705pbf irlr2705pbf.pdf pdf_icon

IRLR2705TRPBF

PD - 95062AIRLR2705PbFIRLU2705PbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceDl Surface Mount (IRLR2705)VDSS = 55Vl Straight Lead (IRLU2705)l Advanced Process Technologyl Fast Switching RDS(on) = 0.040Gl Fully Avalanche Ratedl Lead-FreeID = 28ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedp

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRLML6401TRPBF , IRLML6402G , IRLML6402TRPBF , IRLML9301TR , IRLMS2002TR , IRLMS6802TRPBF , IRLR014NTRP , IRLR120NTR , IRF640 , IRLR2905TR , IRLR2905ZTR , IRLR2908TR , IRLR3105TR , IRLR3410TR , IRLR3636TRPBF , IRLR8103VTR , IRLR8729TR .

History: CS11N65F | FSS210

 

 
Back to Top

 


 
.