Справочник MOSFET. IRLR2905TR

 

IRLR2905TR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRLR2905TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031(typ) Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLR2905TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:797K  cn vbsemi
irlr2905tr.pdfpdf_icon

IRLR2905TR

IRLR2905TRwww.VBsemi.twN-Channel 6 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)aAvailable 175 C Junction Temperature0.025 at VGS = 10 V 35RoHS*600.030 at VGS = 4.5 V 30 COMPLIANTTO-252 DGDrain Connected to TabG D SSTop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise no

 0.1. Size:238K  international rectifier
auirlr2905tr.pdfpdf_icon

IRLR2905TR

AUIRLR2905AUTOMOTIVE GRADEAUIRLU2905 Advanced Planar TechnologyHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveDV(BR)DSS Low On-Resistance 55V Dynamic dV/dT RatingRDS(on) max.27m 175C Operating Temperature G Fast SwitchingID42AS Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxD Lead-Free, RoHS Compliant Autom

 6.1. Size:135K  international rectifier
irlr2905.pdfpdf_icon

IRLR2905TR

PD- 91334EIRLR/U2905HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V Surface Mount (IRLR2905) Straight Lead (IRLU2905)RDS(on) = 0.027G Advanced Process Technology Fast SwitchingID = 42A S Fully Avalanche RatedDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advancedprocessing techniques to achieve the l

 6.2. Size:273K  international rectifier
auirlr2905ztr.pdfpdf_icon

IRLR2905TR

PD - 97583AUTOMOTIVE GRADEAUIRLR2905ZFeaturesHEXFET Power MOSFET Logic Level Advanced Process TechnologyDV(BR)DSS 55V Ultra Low On-Resistance 175C Operating TemperatureRDS(on) max.13.5m Fast SwitchingGID (Silicon Limited)60A Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Lead-Free, RoHS CompliantSID (Package Limited) 42A Automot

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BF245A | VBE1104N | HGD120N10AL | FQI15P12TU | WMB115N15HG4 | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.