IRLR8103VTR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRLR8103VTR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 235 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 151 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 1525 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.002(typ) Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRLR8103VTR
IRLR8103VTR Datasheet (PDF)
irlr8103vtr.pdf
IRLR8103VTRwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.002 at VGS = 10 V 10030 72 nC0.003 at VGS = 4.5 V 90APPLICATIONSD OR-ing ServerTO-252 DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETA
irlr8103vpbf.pdf
PD - 95093AIRLR8103VPbF N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching LossesD Minimizes Parallel MOSFETs for high currentapplications 100% RG Tested Lead-FreeGDescriptionThis new device employs advanced HEXFET PowerMOSFET technology to achieve an unprecedented balanceS D-Pakof
irlr8103v.pdf
PD-94021AIRLR8103V N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction LossesD Low Switching Losses Minimizes Parallel MOSFETs for high currentapplicationsDescriptionGThis new device employs advanced HEXFET PowerMOSFET technology to achieve an unprecedentedbalance of on-resistance and gate charge. The reducedS D-
irlr8103vpbf.pdf
PD - 95093AIRLR8103VPbF N-Channel Application-Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses Low Switching LossesD Minimizes Parallel MOSFETs for high currentapplications 100% RG Tested Lead-FreeGDescriptionThis new device employs advanced HEXFET PowerMOSFET technology to achieve an unprecedented balanceS D-Pakof
irlr8103v.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRLR8103VFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
