PNTK3139PT5G - описание и поиск аналогов

 

PNTK3139PT5G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNTK3139PT5G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SOT723

Аналог (замена) для PNTK3139PT5G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PNTK3139PT5G даташит

 ..1. Size:1861K  cn tech public
pntk3139pt5g.pdfpdf_icon

PNTK3139PT5G

 4.1. Size:1967K  cn tech public
tpntk3139pt1g.pdfpdf_icon

PNTK3139PT5G

 7.1. Size:1889K  cn tech public
tpntk3134nt1g.pdfpdf_icon

PNTK3139PT5G

Другие MOSFET... 2N7002EM3T5G , 2N7002M3T5G , 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , 2SK3568 , PRHP020N06 , PRZM002P02T2L , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 .

History: ME2306A-G | VS3640DB | SM4305PSKC | HY4306W | AGM615MN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.