Справочник MOSFET. PNTK3139PT5G

 

PNTK3139PT5G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PNTK3139PT5G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT723

 Аналог (замена) для PNTK3139PT5G

 

 

PNTK3139PT5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1861K  cn tech public
pntk3139pt5g.pdf

PNTK3139PT5G
PNTK3139PT5G

 4.1. Size:1967K  cn tech public
tpntk3139pt1g.pdf

PNTK3139PT5G
PNTK3139PT5G

 7.1. Size:1889K  cn tech public
tpntk3134nt1g.pdf

PNTK3139PT5G
PNTK3139PT5G

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top