PRZM002P02T2L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PRZM002P02T2L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
Тип корпуса: SOT723
Аналог (замена) для PRZM002P02T2L
PRZM002P02T2L Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , 5N60 , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW .
History: 2SK3541T2L | AP05N50EH-HF | AOTF292L | 2SK2824 | AP14SL50I | APT20M18LVFR | SSPL2015F
History: 2SK3541T2L | AP05N50EH-HF | AOTF292L | 2SK2824 | AP14SL50I | APT20M18LVFR | SSPL2015F
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n


