PRZM002P02T2L - аналоги и даташиты транзистора

 

PRZM002P02T2L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PRZM002P02T2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SOT723
 

 Аналог (замена) для PRZM002P02T2L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PRZM002P02T2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1872K  cn tech public
przm002p02t2l.pdfpdf_icon

PRZM002P02T2L

Другие MOSFET... 2SK3541-P , BSS606N-P , DMP21D0UFB4-P , NTJD5121NT1G , PCJ3139K , PDMN66D0LDW , PNTK3139PT5G , PRHP020N06 , 13N50 , PUM6K31N , TPAO5401EL , TPAO5404EL , TPCJ1012 , TPCJ2101 , TPCJ2102 , TPDMN26D0UFB4 , TPDMP2160UW .

History: MTW14N50E | FTK8N80P | IXFL60N80P | WMB010N04LG4 | 2SJ116 | STP23NM60ND | MTW10N100E

 

 
Back to Top

 


 
.