TPM3134NX3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TPM3134NX3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.95 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: SOT723
Аналог (замена) для TPM3134NX3
TPM3134NX3 Datasheet (PDF)
tpm3139k.pdf

TPM3139Kwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.comtw.TPM3139Kwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.tech
Другие MOSFET... TPM2009EP3 , TPM2019-3 , TPM2030-3 , TPM2077 , TPM2101BC3 , TPM2102BC3 , TPM2601C3 , TPM3008EP3 , AON7403 , TPM3139K , TPM4105EC6 , TPM4153-3 , TPM5121NEC6 , TPM603NT3 , TPM62D0LFB , TPM6401S3 , TPM7002BKM .
History: HGN024N06SL | TSJ10N10AT | NCE0160AG | P3055LDG | RFG50N05L | IXFH14N60P
History: HGN024N06SL | TSJ10N10AT | NCE0160AG | P3055LDG | RFG50N05L | IXFH14N60P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013