Справочник MOSFET. TPM3139K

 

TPM3139K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TPM3139K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.59 Ohm
   Тип корпуса: SOT523
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TPM3139K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  cn tech public
tpm3139k.pdfpdf_icon

TPM3139K

TPM3139Kwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.comtw.TPM3139Kwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.tw www.techpublic.com.tw www.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.techpublic.com.twwww.tech

 8.1. Size:1893K  cn tech public
tpm3134nx3.pdfpdf_icon

TPM3139K

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484

 

 
Back to Top

 


 
.