KD2306A - аналоги и даташиты транзистора

 

KD2306A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KD2306A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KD2306A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KD2306A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:893K  cn vbsemi
 kd2306a.pdf pdf_icon

KD2306A

KD2306Awww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23)G

 9.1. Size:913K  cn vbsemi
 kd2301.pdf pdf_icon

KD2306A

KD2301www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... ME2310 , ME9926 , J330 , K3150 , K4018 , MMBF170LT1G , MMDF3N04HD , MCH3409-TL , IRF3710 , KD2310 , KD3400SRG , IRLU110P , IRLU3103P , IRLU3410P , ISL9N306AD3S , ISL9N308AD3ST , ISL9N308AD3 .

 

 
Back to Top

 


 
.